台积电开发SOT-MRAM阵列芯片，功耗仅类似技术的1%

发布时间：2026-01-29 04:20:08

据台媒报导，台积电在次代代MRAM存储器相关技能传捷报，携手工研院开宣布自旋轨迹转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，调配立异的运算架构，功耗仅其他相似技能的1%。台积电现已成功开宣布22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线，并手握存储器、车用等商场订单，抢占MRAM商机。